Mohamed Boutchich

Laboratoire

Génie Électrique et Électronique de PariS

Publications (74)

Communication dans un congrès 01/11/2012

Graphene oxide reduced through chemical and biological processes

Mohamed Boutchich , Alexandre Jaffré , David Alamarguy , José Alvarez , Alexandre Barras , Y. Tanizawa , R. Tero , H. Okada , T.V. Thu , Jean-Paul Kleider , A. Sandhu , Mohamed Boutchich , Jose Alvarez , Jean-Paul Kleider

Article dans une revue 01/09/2012

Amorphous silicon diamond based heterojunctions with high rectification ratio

Mohamed Boutchich , José Alvarez , Djicknoum Diouf , Pere Roca I Cabarrocas , Meiyong Liao , Imura Masataka , Yasuo Koide , Jean-Paul Kleider , Mohamed Boutchich , Jose Alvarez , Jean-Paul Kleider

Communication dans un congrès 01/03/2012

Ultraviolet photodetectors based on hydrogenated/oxidized diamond surfaces characterization of silicon heterojunctions for solar cells

José Alvarez , Mohamed Boutchich , Djicknoum Diouf , Jean-Paul Kleider , M. Liao , M. Imura , Y. Koide , Jose Alvarez , Mohamed Boutchich , Jean-Paul Kleider

Communication dans un congrès 01/08/2011

Amorphous and microcrystalline silicon diamond based heterojunctions

Mohamed Boutchich , José Alvarez , Djicknoum Diouf , Pere Roca I Cabarrocas , M Liao , I. Masataka , Y Koide , Jean-Paul Kleider , Mohamed Boutchich , Jose Alvarez , Jean-Paul Kleider

Article dans une revue 31/05/2005

Package-free infrared micro sensor using polysilicon thermopile

Mohamed Boutchich , Katir Ziouche , M. Ait-Hammouda Yala , Pascale Godts , Didier Leclercq , Mohamed Boutchich

Communication dans un congrès 01/01/2003

A new infrared microsensor

Katir Ziouche , Mohamed Boutchich , M. Achani , Pascale Godts , Didier Leclercq , Mohamed Boutchich

Article dans une revue 01/01/2002

Characterization of phosphorus and boron heavily doped LPCVD polysilicon films in the temperature range 293-373K

Mohamed Boutchich , Katir Ziouche , Pascale Godts , Didier Leclercq , Mohamed Boutchich

Autre publication scientifique 01/01/2002

Microcapteurs de rayonnement infrarouge en technologie silicium

Mohamed Boutchich , Mohamed Boutchich

Communication dans un congrès 01/01/2001

Méthode de mesure de l'absorptivité différentielle de 2 matériaux. Application en UV et IR

Katir Ziouche , Mohamed Boutchich , Pascale Godts , Didier Leclercq , Mohamed Boutchich

Communication dans un congrès 01/01/2001

Réalisation de nouveaux microradiomètres sur silicium. Etude des propriétés thermoélectriques du polysilicium dopé N et P

Katir Ziouche , Mohamed Boutchich , Pascale Godts , Didier Leclercq , Mohamed Boutchich